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Priorité E2 : Conversion sous contraintes sévères

La priorité E2 du Département EE concerne l’intégration de fonctions ou le fonctionnement en environnement sévère (haute fréquence, haute température).
La coordination est assurée par Christian MARTIN.

Les objectifs principaux sont :

  • l’électronique de puissance haute température : mise en oeuvre de composants grand gap (WBG), packaging, circuit de commande, composants passifs, caractérisation, large plage de fonctionnement en température, modélisation ;
  • la forte intégration et efficacité énergétique : packaging, modélisation, commande rapprochée, conception de convertisseurs, couplages (CEM), composants passifs et synthèse de filtres.

Les principales actions sont :

  • le développement de convertisseurs haute fréquence utilisant différentes technologies de composants actifs (CMOS standard, SiC ou GaN) et passifs (ferrites planar, nanocristallins...). La gamme de fréquences va de 20 kHz à 100 MHz, pour des puissances comprises entre 0,5 W et 45 kW ;
  • la modélisation de matériaux magnétiques avec la prise en compte des effets de la température dans des modèles temporels couplés magnéto-thermiques ;
  • les capteurs et mesures de champs proches ;
  • le packaging et la plastronique.
Filtre CEM haute température (projet FEMINA - Rémi ROBUTEL)
Filtre CEM haute température (projet FEMINA - Rémi ROBUTEL)
Convertisseur DC-DC 0,5W sur Interposeur (projet PowerSWIPE)
Convertisseur DC-DC 0,5W sur Interposeur (projet PowerSWIPE)
Capteur inductif de proximité 3D avec 11 inductances réparties sur deux demi-sphères
Capteur inductif de proximité 3D avec 11 inductances réparties sur deux demi-sphères
Module de puissance haute température (300°C), SiC JFET, driver SOI, frittage d'argent
Module de puissance haute température (300°C), SiC JFET, driver SOI, frittage d’argent
Modèlisation des matériaux magnétiques avec prise en compte de la tempértaure
Modèlisation des matériaux magnétiques avec prise en compte de la tempértaure

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