13/12/2016 - Besar ASLLANI
Caractérisation et modélisation de diodes Schottky JBS SIC-4H pour des applications haute tension
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Département Energie Electrique
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Caractérisation et modélisation de diodes Schottky JBS SIC-4H pour des applications haute tension
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Conception d’une nouvelle génération de redresseur Schottky de puissance en Nitrure de Gallium (GaN), étude, simulation et réalisation d’un démonstrateur.
Alimentation à découpage hautes performances pour l’aéronautique
Recherche de gaz/mélange gazeux sans hexafluorure de soufre pour des applications haute tension
Modélisation de la Tenue Diélectrique dans les Grands Intervalles d’Air – Application aux intervalles complexes
Conception, optimisation et caractérisation d’un transistor à effet de champ haute tension en carbure de silicium et leur diode associée
Croissance de la phase MAX sur SiC, contact ohmique stable et fiable à haute température
Recherche de matériaux isolants pour la conception d’une nouvelle génération de connecteurs électriques Haute Tension – Influence de la pollution sur les phénomènes de décharges partielles du contournement et de claquage
Design and implementation of high frequency 3D DC-DC converter
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