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Accueil > Thèses et HDR > Thèses en 2016

13/12/2016 - Besar ASLLANI

publié le , mis à jour le

Agenda

  • Mardi 13 décembre 2016 10:00-11:30 -

    Thèse Besar ASLLANI

    Résumé : Caractérisation et modélisation de diodes schottky JBS SIC-4H pour des applications haute tension (voir plus ...)

    Lieu : INSA de Lyon, Médiathèque - voir carte


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Besar ASLLANI soutient sa thèse le 13/12/2016 - 10h00 - INSA de Lyon
Lieu soutenance : Amphi E. du Châtelet (médiathèque)

Titre :
Caractérisation et modélisation de diodes schottky JBS SIC-4H pour des applications haute tension

Jury :

  • Directeur de thèse : D. TOURNIER
  • Rapporteurs : E. BANO ; O. LATRY
  • Examinateurs : M. BERTHOU ; P. GODIGNON ; G. GROSSET ; F. MORANCHO ; C. MOREAU.

Résumé :
La diode Schottky SiC est un composant qui peut potentiellement remplacer la diode PiN Si dans les applications de puissance. Effectivement, la tenue en tension élevée, la faible résistivité, ainsi que l’indépendance de la température du courant de recouvrement rendent cette diode idéale pour les convertisseurs de puissance DC/DC. Cependant, face à l’abondance des composants Si sur le marché, la diode Schottky rencontre une certaine réticence. Malgré les nombreuses démonstrations de systèmes électroniques de puissance réalisés, la fiabilité de cette technologie n’arrive pas à convaincre. Cette étude porte sur la caractérisation en régime statique sur une large gamme de températures et l’évaluation de la fiabilité en surcharge des diodes Schottky et JBS SiC-4H. La caractérisation en température a permis de proposer des modèles de la caractéristique directe et inverse sur une gamme étendue de températures. Les tests en surcharge ont permis de comparer la fiabilité de diodes expérimentales et commerciales à fin de montrer la maturité de cette technologie.

Mots-clé :
Diode Schottky, JBS, inhomogénéité du contact, Caractérisation électrique en Température, Modélisation, Modèle en direct Schottky, Modèle en inverse Schottky, Fiabilité, Tests en Surcharge.



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