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Les événements de décembre 2018

Séminaire

  • Séminaires Ampère

    • Mercredi 5 décembre 12:30-14:00 -

      Séminaire MIS (PhD Club) : Federico Morelli (Ampère)

      Résumé : Titre à venir
      Lieu : Ecully, ECL, H9, salle de Conférence

      Article

Soutenance

  • Soutenances

    • Jeudi 6 décembre 10:00-12:00 -

      Thèse Nagham EL GHOSSEIN

      Résumé :

      Étude et modélisation du fonctionnement et du vieillissement des « Lithium-Ion Capacitors » (LiC)
      ... détails ...

      Lieu : Salle de conférence de la Bibliothèque Universitaire de Sciences (Domaine de la Doua, 20 avenue Gaston Berger, 69622 Villeurbanne).

      Article

    • Vendredi 7 décembre 14:00-16:00 -

      Thèse Arbi MAALAOUI

      Résumé :

      Étude et caractérisation du positionnement de nanotubes de carbone par diélectrophorèse pour la fabrication de capteurs chimiques en milieu liquide
      ... détails ...

      Lieu : Ecole Centrale de Lyon, bâtiment W1, amphithéâtre 203

      Article

    • Jeudi 13 décembre 10:00-12:00 -

      Thèse Teng ZHANG

      Résumé :

      Caractérisations des défauts profonds du SiC et pour l’optimisation des performances des composants haute tension
      ... détails ...

      lieu : amphi Émilie du Châtelet (bibliothèque INSA) : www.openstreetmap.org/way/85041048#map=16/45.7826/4.8771.

      Article

    • Jeudi 13 décembre 14:00-16:00 -

      Thèse Malorie HOLOGNE

      Résumé :

      Contribution au suivi de l’état de santé des modules de puissances à base de MOSFET en carbure de silicium.
      ... détails ...

      Lieu : Amphi de la délégation régionale CNRS.

      Article

    • Vendredi 14 décembre 09:30-11:30 -

      Thèse Quentin MOLIN

      Résumé :

      Contribution à l’étude de la robustesse des MOSFET-SiC haute tension : dérive de la tension de seuil et tenue aux courts-circuits​

      Lieu : INSA de Lyon, Villeurbanne, campus de la Doua, amphithéâtre AE1 du bâtiment Gustave Ferrié.

      Article

    • Vendredi 14 décembre 14:00-16:00 -

      Thèse Oriol Aviñó Salvadó

      Résumé :

      Contribution à l’étude de la robustesse de l’oxyde de grille des MOSFET en SiC
      ... détails : www.ampere-lyon.fr/spip.php ?article1048 ...

      Lieu : INSA de Lyon, Villeurbanne, campus de la Doua, Amphithéâtre DEPERET (bâtiment Darwin) : www.openstreetmap.org/way/30917947#map=16/45.7804/4.8685.

      Article

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