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Accueil > Thèses et HDR > Thèses en 2012

20/01/2012 : Fabien THION - INSA

publié le , mis à jour le

Fabien THION soutient sa thèse le 20 janvier 2012 - 9h30 - à la Médiathèque de l’INSA (Amphi. E. du Châtelet)

Titre :

Conception de protections périphériques applicables aux diodes Schottky réalisées sur diamant monocristallin.

Jury :

  • Directeurs de thèse : Dominique PLANSON ; Karine ISOIRD
  • Rapporteurs : Jocelyn ACHARD ; Daniel ALQUIER
  • Examinateurs : Christian BRYLINSKI ; Marie-Laure LOCATELLI
  • Membres invités : Michel AMIET ; Philippe LASSERRE

Résumé :

Cette thèse se place dans le cadre du projet Diamonix, qui vise à établir une filière diamant en France. La thèse porte sur des
travaux de dimensionnement de protection périphérique, structure nécessaire au bon fonctionnement des composants d’électronique de
puissance. Le développement de protections périphériques applicables aux diodes Schottky sur diamant monocristallin nécessite plusieurs
étapes. Après un premier chapitre détaillant l’état de l’art de l’utilisation de diamant en électronique de puissance, nous nous attardons, sur la
conception de protection périphérique basée sur une plaque de champ à l’aide de divers diélectriques et ensuite à l’aide d’un matériau semirésistif
dans le chapitre 2. Ces simulations sont réalisées à l’aide du logiciel SENTAURUS TCAD. Le troisième chapitre essaie de répondre
aux problèmes technologiques posés par le chapitre 2. Nous avons ainsi développé une nouvelle technique de gravure basée sur une
succession d’étapes utilisant Ar/O2 puis CF4/O2. Puis, dans un deuxième temps, nous avons réalisé des capacités Métal/Diélectrique/Diamant
afin de qualifier le comportement des diélectriques sur le matériau diamant. Leur comportement est problématique mais il s’agit à notre
connaissance de la première étude poussée de capacités sur diamant. Le chapitre 4 revient sur la fabrication et la caractérisation de diodes
Schottky protégées à l’aide de plaques de champ sur divers diélectriques, les résultats obtenus étant mitigés. Enfin, la conclusion revient sur
les résultats importants de simulation, de gravure, de caractérisation des capacités et des diodes Schottky pour ensuite s’élargir et donner des
perspectives de travail.

Voir en ligne : Texte complet de la thèse