Partenaires

Ampère

Nos tutelles

CNRS Ecole Centrale de Lyon Université de Lyon Université Lyon 1 INSA de Lyon

Nos partenaires

Ingénierie@Lyon



Rechercher


Accueil > Thèses et HDR > Thèses en 2021

16/12/2021 - Arthur BOUTRY

par Laurent Krähenbühl - publié le , mis à jour le

Agenda

  • Jeudi 16 décembre 2021 de 14h00 à 16h00 -

    Thèse Arthur BOUTRY

    Résumé :

    Évaluation théorique et expérimentale du thyristor intégré à commande par gâchette (IGCT) en tant qu’interrupteur pour les convertisseurs multiniveaux modulaires (MMC)


Ajouter un événement iCal
Arthur Boutry soutient sa thèse le 16/12/2021 à 14:00 (heure provisoire). Lieu : NOUVEAU : pour raison sanitaires, uniquement en visio
Évaluation théorique et expérimentale du thyristor intégré à commande par gâchette (IGCT) en tant qu’interrupteur pour les convertisseurs multiniveaux modulaires (MMC).

Jury :
Rapporteurs : Dieckerhoff Sibylle (Univ. Technique Berlin), Dujic Drazen (EPFL)
Autres membres : Ladoux Philippe (Univ. Toulouse), Batut Nathalie (Univ. Tours)

Encadrement (Laboratoire Ampère) : Buttay Cyril (Directeur de thèse, INSA Lyon), Vagnon Eric (Co-directeur, ECL)

Résumé : Une étude sur la réduction/suppression de l’inductance de limitation di/dt pour IGCTs et du clamp RCD en utilisant des diodes rapides en silicium (Si) et des diodes en carbure de silicium (SiC) dans les convertisseurs multiniveaux modulaires (MMC). Cette thèse contient :
  • Analyse des sous-modules de MMC HVDC existants.
  • Évaluation de l’intérêt des IGCTs dans les sous-modules MMC HVDC et comparaison des pertes avec les IGBT, en utilisant des facteurs de mérite spécifiques aux MMC créés dans cette thèse.
  • Test de double pulse avec diode à récupération rapide dans un module plastique pour tenter de réduire et supprimer l’inductance limitant le di/dt.
  • Packaging de puces de diodes SiC PiN à haute tension et courant élevé, test avec IGCT dans le même montage, pour tenter de réduire et supprimer l’inductance limite di/dt, et analyser les spécificités de la diode SiC dans ce montage.
Mots-clés : électronique de puissance, HVDC, MMC, IGCT, diode, sous-module, silicium, carbure de silicium, semiconducteur