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PhD Opportunities

by Laurent Krähenbühl - published on , updated on

Currently : 7 opportunities.

How to apply ?


A/ Proposition de thèse de doctorat avec financement par Contrat Doctoral d’Etablissement

A-2023-07 Optimization of Ga2O3 technology for the production of power components

Domaine : Génie électrique
Établissement : INSA Lyon (INL et Ampère)
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Contact à Ampère : Pierre Brosselard

A-2023-08 Artificial intelligence methods for fault diagnosis in medium and high voltage
switchgear

Domaine : Génie électrique
Établissement : Ecole Centrale de Lyon – Ecully, France
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Contact à Ampère : Ayyoub Zouaghi
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B/ Proposition de thèse de doctorat avec financement européen

B-2023-02 Snubber intégré dans le boitier du transistor de puissance
Domaine : Génie électrique
Établissement : 25% INSA Lyon – Ecully, France, 75% site CEA LETI
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Contact à Ampère : Bruno Allard

C/ Proposition de thèse de doctorat avec financement industriel (CIFRE ou autres)

C-2023-04 Radiation reliability of diamond semiconductor devices for automotive,
nuclear, and space environments

Domaine : Micro-électronique
Partenaire : ST Microlectronics
Établissement : INSA Lyon
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Contact: Victor Malherbe

C-2023-05 Radiation reliability of gallium nitride (GaN) semiconductor devices for automotive, nuclear, and space environments
Domaine : Micro-électronique
Partenaire : ST Microlectronics
Établissement : INSA Lyon
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Contact: Victor Malherbe

D/ Proposition de thèse de doctorat avec financement par l’ANR, le plan France 2030, ...

D-2023-06 Contribution of embedding of magnetic components in PCB core

Domain : Power Electronics
Partners : ANR Project TECoCIP
Site: Université Claude Bernard Lyon 1

Contact Ampère : Mickaël PETIT

D-2023-07 Avalanche behaviour of multichip
power SiC MOSFET modules

Domaine : Électronique de puissance
Partenaires : Projet IRT Saint-Exupéry
Établissement : INSA Lyon
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Contact à Ampère : Hervé Morel

D-2023-08 Structural and traps defect on new and aging GaN power devices
Domaine : Électronique de puissance
Établissement : INSA Lyon
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Contact à Ampère : Camille SONNEVILLE

D-2023-09 Electrical Stress (Surge Current and Switching) to age GaN power devices
Domaine : Électronique de puissance
Établissement : INSA Lyon
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Contact à Ampère : Pierre BROSSELARD

E/ Proposition de thèse de doctorat avec financement franco-chinois