Antoine BENOIST soutient sa thèse le 27/01/2017 - 9h00 - INSA - Amphi E; du Châtelet
Titre :
Pre and post breakdown modeling of high-k dielectrics regarding antifuse and OxRAM non-volatile memories
Jury :
- Directeur de thèse : Bruno ALLARD
- Rapporteurs : Luca LARCHER ; Jean Michel PORTAL
- Examinateurs : Philippe CANDELIER ; Gérard GHIBAUDO ; Sabina SPIGA
Le texte complet est sous embargo jusqu’au 27/01/2020
Résumé :
Etude et modélisation des phénomènes relatifs au claquage d’oxyde des transistors de technologies CMOS avancées embarquant des matériaux à haute permittivité et des métaux. Ces claquages sont effectués sous fort champ électrique pour assurer la programmation de mémoires non volatiles embarquées de type Antifuse. Une meilleure maîtrise de la consommation énergétique de la phase de programmation, de meilleurs rendements de cellules programmées et des modèles utiles aux designers ont été obtenus au cours de ces travaux.