Thomas SANTINI soutient sa thèse le 25/03/2016 - 10h - INSA (GE - salle AE1)
Titre :
Contribution à l’étude de la fiabilité des MOSFETs en Carbure de Silicium
Jury :
- Directeur de thèse : Bruno ALLARD
- Rapporteurs : Etienne LABEAU ; Olivier LATRY
- Examinateurs : Antoine GRALL . Zoubir KHATIR ; Florent MILLER . Christian MOREAU ;
- Invités : Mitra FOULADIRAD ; Sébastien MORAND
Résumé :
Ces dernières années ont vu apparaître sur le marché les premiers transistors de puissance de type MOSFET en carbure de silicium. Ce type de composant est particulièrement adapté à la réalisation d’équipements d’électronique de puissance à haut rendement et capable de fonctionner à haute température. Néanmoins, la question de la fiabilité doit être posée avant de pouvoir envisager la mise en œuvre de ces composants dans des applications aéronautiques ou spatiales. Les mécanismes de défaillance liés à l’oxyde de grille ont pendant longtemps retardé la mise sur le marché des transistors à grille isolée en carbure de silicium. Cette étude s’attache donc à estimer la durée de vie des MOSFET SiC de 1ére génération. Dans un premier temps, le mécanisme connu sous le nom de Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) a été étudié au travers de résultats issus de la bibliographie. Notre analyse nous a permis de justifier de l’emploi d’une loi de Weibull pour modéliser la distribution des temps à défaillance issue de ces tests. Les résultats nous ont également permis de confirmer l’amélioration significative de la fiabilité de ces structures vis-à-vis de ce mécanisme. Dans un second temps, l’impact du mécanisme d’instabilité de la tension de seuil sur la fiabilité a été quantifié au travers de tests de vieillissement de type HTGB. Les données de dégradation ainsi collectées ont été modélisées à l’aide d’un processus gamma non-homogène, qui nous a permis de prendre en compte la variabilité entre les composants testés dans des conditions identiques et de proposer des facteurs d’accélération en tension et en température pour ce mécanisme. Enfin, ces travaux ont permis d’ouvrir la voie à la mise en œuvre d’outils de pronostic de la durée de vie restante tout au long de la vie d’un équipement.
Mots clés : Electronique de puissance, MOSFET SiC, fiabilité, durée de vie, test de dégradation accéléré, processus gamma, pronostic, RUL.
Summary:
Recent years have seen SiC MOSFET reach the industrial market. This type of device is particularly adapted to the design of power electronics equipment with high efficiency and high reliability so as to operate in high ambient temperature. Nevertheless, the question of the SiC MOSFET reliability has to be addressed prior to considering the implementation of such a device in an aeronautic application.
The failure mechanisms linked to the gate oxide of the SiC MOSFET have for a long time prevented the introduction of the device. The manuscript details a study focusing the lifetime of SiC MOSFET of 1st generation. In a first step the mechanism known as the Time–Dependent Dielectric Breakdown is studied through experimental results extracted from literature. The study shows the successful application of a Weibull law to represent the time-to-failure extracted from the accelerated tests. The results show also a significant improvement of the SIC MOSFET structure with respect to this phenomenon.
In a second step, the impact of the threshold voltage instability is quantified through accelerated tests, known as High Temperature Gate Bias. The collected degradation data are modeled using a non-homogeneous Gamma process. This allows taking into account the variability between devices tested under the same conditions. Acceleration factors have been proposed with respect to temperature and gate voltage. Eventually the study delivers a primary estimation of the remaining useful lifetime of the SIC MOSFET in a typical aeronautic application.
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